Профили поверхности и фильтры

26 июл 2024

#Текстура поверхности

Фактическим профилем поверхности является профиль, измеренный на пересечении поверхности детали и плоскости, перпендикулярной данной поверхности, в направлении, в котором значения шероховатости поверхности максимальны (обычно под прямым углом к направлению неровностей от механической обработки).

Измеренное значение профиля представляет собой профиль, измеренный в результате трассирования поверхности щупом, который механически сканирует поверхность относительно радиуса наконечника щупа r_tip или опоры щупа (если установлена). Такие дефекты поверхности, как трещины, царапины и вмятины, не являются частью профиля и не должны включаться в оценку. При необходимости для них могут быть установлены допуски в соответствии с DIN EN ISO 8785.

Первичный профиль (Р-профиль) – это профиль поверхности, оцененный в результате электронной низкочастотной фильтрации измеренного профиля с длиной волны (отсечкой шага) λ_s. Этот процесс удаляет компоненты самых коротких волн, которые считаются незначительными для измерения шероховатости поверхности. Параметры обозначаются P и оцениваются в пределах базовых длин. На Рисунке 1 это значение равно длине выборки ln (общей длине измеренной поверхности).

**Рисунок 1:** Исходный профиль и средняя линия фильтра исходного профиля при отсечке λ_s

Профиль шероховатости (R-профиль) – это профиль, полученный в результате электронной высокочастотной фильтрации основного профиля с помощью критической длины волны λ_c. Этот процесс удаляет компоненты более длинных волн, как показано на Рисунке 2. Параметры обозначаются R и оцениваются длиной ln, которая обычно состоит из пяти базовых длин lr. Базовая длина соответствует критической длине волны λ_c фильтра профиля.

**Рисунок 2:** Профиль шероховатости со средней линией (высокочастотная фильтрация основного профиля критической длиной волны λ_c)

Профиль волнистости (W-профиль) – профиль, полученный в результате низкочастотной электронной фильтрации первоначального профиля критической длиной волны λ_c (Рисунок 3), и последующей высокочастотной фильтрации длиной волны λ_f как показано на Рисунке 4. Параметры обозначаются W и оцениваются на длине оценки ln, состоящей из нескольких базовых длин lw. Базовая длина lw соответствует критической длине волны λ_f высокочастотного фильтра. Однако эта величина не стандартизирована и должна указываться на чертеже. Она должна находиться в пределах между пяти- и десятикратным значением λ_f.

**Рисунок 3:** Средняя линия низкочастотной фильтрации первоначального профиля и средняя линия профиля λ_f

**Рисунок 4:** Профиль волнистости со средней линией после высокочастотной фильтрации фильтром профиля λ_с

**Рисунок 5:** Амплитудно-частотные характеристики фильтров, используемых для отделения характеристик шероховатости и волнистости. Характеристики фильтра по Гауссу, в соответствии с DIN EN ISO 11562: 1998